| Détails d'emballage | carton |
|---|---|
| Délai de livraison | SUR DES ACTIONS |
| Conditions de paiement | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement | 20.000.000 PAR MOIS |
| Lieu d'origine | CN |
| Détails d'emballage | carton |
|---|---|
| Délai de livraison | SUR DES ACTIONS |
| Conditions de paiement | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement | 20.000.000 PAR MOIS |
| Lieu d'origine | CN |
| Nom du produit | Élément en céramique piézo-électrique |
|---|---|
| Taille | 15x6x3 P8 |
| Forme | De forme annulaire |
| Facteur de qualité Qm | ≥800 |
| Kr de module d'accouplement (%) | ≥45 |
| Nom du produit | disques en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Dimension (millimètres) | Φ10xΦ5x2 |
| Capacité C (PF) | 240±10% |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Nom du produit | Céramique piézo-électrique adaptée aux besoins du client |
|---|---|
| Détails d'emballage | emballage normal |
| Délai de livraison | 30 JOURS |
| Capacité d'approvisionnement | mois de 1000PCS +per |
| Lieu d'origine | CN |
| Détails d'emballage | emballage normal |
|---|---|
| Délai de livraison | 30 JOURS |
| Capacité d'approvisionnement | mois de 1000PCS +per |
| Lieu d'origine | CN |
| Nom de marque | CCWY |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Détails d'emballage | emballage normal |
|---|---|
| Délai de livraison | 30 JOURS |
| Capacité d'approvisionnement | mois de 1000PCS +per |
| Lieu d'origine | CN |
| Nom de marque | CCWY |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |