| Capacité (PF) | 1750±10% |
|---|---|
| D'entité | rendement élevé |
| Nom | Élément en céramique piézo-électrique |
| la norme | CE, ISO9001, ROSH |
| Détails d'emballage | carton |
| Diamater | Sφ10 |
|---|---|
| Diamètre d'ouverture | φ3 |
| Epaisseur | 0,8 |
| l'avantage | bonne construction, amplitude élevée |
| Applications | transducteur ultrasonique de capteur |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Facteur de qualité Qm | ≥800 |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
| Nom du produit | Matériaux en céramique piézoélectriques |
|---|---|
| Forme | De forme annulaire |
| Champ faible Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ fort d'ationTg de Dissip de champ (400v) | ≤1.0% |
| Impédance ZM (Ω) de nance de Reso | ≤15 |
